六羰基钨 W(CO)₆
6N 级高纯金属有机前驱体，面向半导体 ALD/CVD 薄膜沉积、TFT 面板 FIB 修补与 TSV/TGV 先进封装，以自主可控的国产供应能力，替代进口材料。
6N 级高纯金属有机前驱体，面向半导体 ALD/CVD 薄膜沉积、TFT 面板 FIB 修补与 TSV/TGV 先进封装，以自主可控的国产供应能力，替代进口材料。
| 化学式 | W(CO)₆ |
|---|---|
| CAS 号 | 36794-58-6 |
| 分子量 | 512.17 g/mol |
| 外观 | 淡黄色至无色透明液体 / 晶体 |
| 纯度（主含量） | ≥ 99.9997%（6N 级） |
| 金属杂质总量 | ≤ 3.1 ppm（ppm = 百万分之一） |
| 形态 | 瓶装液体 / 粉末（100 mL 规格） |
| 主要应用 | 半导体 ALD/CVD 钨薄膜沉积、TFT-LCD/OLED 面板 FIB 缺陷修补、TSV/TGV 金属化 |
| 包装 | 前驱体专用源瓶 / 粉末瓶，无水无氧封装 |
* 完整指标以随货 COA 质检单与技术规格书为准。
产品包装 · 前驱体源瓶 · 内部结构实拍
覆盖半导体薄膜沉积、显示面板修复与先进封装三大方向
作为钨前驱体用于原子层沉积（ALD）与化学气相沉积（CVD），制备金属互连、接触孔填充及阻挡层，适用于先进逻辑与存储制程。
聚焦 TFT-LCD / OLED 面板制程缺陷修复，配合聚焦离子束（FIB）机台修复短路、断路等缺陷，提升产品良率。
面向硅通孔（TSV）与玻璃通孔（TGV）的高保形金属化需求，配合 ALD 实现侧壁与底部均匀覆盖，支持 2.5D/3D 封装。
金属氧化物薄膜沉积用于钙钛矿太阳能电池电子传输层（ETL）等应用，拓展光伏电池场景。
兼容主流面板修补与半导体沉积机台
技术规格书、质检报告、SGS 认证与对比报告，支持客户评估
六羰基钨产品与工艺演示
六羰基钨产品展示与工艺演示视频
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