4N 级高纯金属有机前驱体，面向半导体 ALD/CVD 铬薄膜沉积，作为纯铭新材料前驱体产品矩阵的重要成员，提供稳定国产供应。
| 产品名称 | 六羰基铬 Cr(CO)₆（4N 级 A01 系列） |
|---|---|
| 化学式 | Cr(CO)₆ |
| CAS 号 | 14255-35-2 |
| 纯度（主含量） | ≥ 99.99%（4N 级） |
| 主要应用 | 半导体 ALD/CVD 铬薄膜沉积、金属互连与扩散阻挡 |
| 前驱体矩阵 | 纯铭新材料 30+ 前驱体产品线成员（W / Cr / Mo / Co / Hf / Ta 等） |
* 完整指标（纯度、金属杂质、蒸气压）以随货 COA 质检单与技术规格书为准。
半导体金属薄膜沉积
作为铬前驱体用于原子层沉积与化学气相沉积，制备铬薄膜，适用于金属互连与阻挡层。
属于纯铭新材料 30+ 高纯前驱体产品线，可与客户其他前驱体需求协同采购。
以自主可控的国产前驱体，替代进口材料，降低供应链风险。
我们可提供六羰基铬完整规格、纯度与杂质数据、ALD/CVD 工艺信息及客户评估样品。
